* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
Low on-resistance.
Fast switching speed.
Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
Drive circuits can be simple.
Parallel use is easy.
Pb-free lead plating
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
15.4мм
Длина:
10.3мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
40 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.36 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.5В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220FM
Типичный заряд затвора при Vgs:
15 нКл при 10 В
Ширина:
4.8мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |