* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (5x6 mm)
Compact Design
Low rDS(on)
Minimize Conduction Loss
Low QG and Capacitance
Minimize Driver Losses
NVMFD5C446NLWF − Wettable Flank Option
Enhanced Optical Inspection
PPAP Capable
Applications \t \t
Solenoid driver
Low side / high side driver
Automotive engine controllers
Antilock braking systems
DatasheetsESD Control Selection Guide V1Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
0.75мм
Длина:
3.15мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
107 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
9.5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
68 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
NVTFS6H850N
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
WDFN
Типичный заряд затвора при Vgs:
19 нКл при 10 В
Ширина:
3.15мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |