Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET, 8-Pin SOIC onsemi NCP81080DR2G, МОП-транзистор

1723381
Номер производителя: NCP81080DR2GПроизводитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 25 шт)
381.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The NCP81080 is a high performance dual mosfet (high side and low side) gate-drive IC designed for driving MOSFETs operating up to 180 V. The NCP81080 integrates a driver IC and a bootstrap diode and offers 0.5A source/0.8A sink driving capability. Anti-cross conduction circuit is integrated to prevent shoot through issues. The high side and low side drivers are independently controlled.

Drives two N-Channel MOSFETs in High & Low Side
Integrated Bootstrap Diode for High Side Gate Drive
Bootstrap Supply Voltage Range up to 180V
0.5A Source, 0.8A Sink Output Current Capability
Drives 1nF Load with Typical Rise/Fall Times of 19ns/17 ns
Wide Supply Voltage Range 5.5V to 20V
2 ns Delay Matching (Typical)
Under-Voltage Lockout (UVLO) Protection for Drive Voltage
Operating Junction Temperature Range of -40°C to 140°C

Техническая спецификация
pdfDatasheets
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
1.5мм
Длина:
5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное пороговое напряжение:
5.4В
Минимальное пороговое напряжение:
3.4В
Рабочая температура - максимальная:
+170 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Серия:
NCP81080
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOIC
Ширина:
4мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию