Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 203 A, 80 V, 5-Pin DFN onsemi NTMFS6H800NT1G, МОП-транзистор

1728974
Номер производителя: NTMFS6H800NT1GПроизводитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
1797.90 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

ON Semiconductor MOSFET

The ON Semiconductor DFN5 surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 80V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 2.1mohm at a gate-source voltage of 10V. It has continuous drain current of 203A and maximum power dissipation of 200W. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 6V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Compact design
• Lead (Pb) free
• Low QG and capacitance
• Low QG and capacitance to minimize driver losses
• Low RDS (on) to minimize conduction losses
• Minimize conduction losses
• Minimize driver losses
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• Small footprint (5x6 mm)

Applications

• 48V systems
• DC/DC converter
• Load switch
• Motor control
• Power switches (high side driver, low side driver, H-bridges etc.)
• Switching power supplies
• Synchronous rectifier

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Высота:
1.1мм
Длина:
6.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
5
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
200 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
3.5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
203 A
Минимальное пороговое напряжение:
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DFN
Типичный заряд затвора при Vgs:
85 нКл при 10 В
Ширина:
5.1мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию