* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Toshiba MOSFET is silicon N-channel MOS with 3 pin and surface mounting type.
Low drain-source on-resistance
Low leakage current
DatasheetВысота:
2.3мм
Длина:
6.6мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
55 Вт
Максимальное напряжение входа:
+20 В
Максимальное напряжение стока источника:
250 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
500 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
7.5 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.5В
Прямое напряжение диода:
1.7В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
16 нКл при 10 В
Ширина:
6.1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |