R6003KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Low on-resistance
Ultra fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
Техническая спецификация
Datasheet
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
44 Вт
Максимальное напряжение входа:
±30 В
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
5.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3 A
Минимальное пороговое напряжение:
3.5В
Прямое напряжение диода:
1.5В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
8 нКл при 10 В
