* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
R6515KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Low on-resistance
Ultra fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
DatasheetВысота:
4.7мм
Длина:
10.4мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
184 Вт
Максимальное напряжение входа:
±30 В
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
310 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
15 A
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Прямое напряжение диода:
1.5В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
R6515KNJ
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-263S
Типичный заряд затвора при Vgs:
27.5 нКл при 10 В
Ширина:
9.2мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |