Power MOSFET R6007END3 is suitable for switching power supply.
Low on-resistance.
Fast switching speed.
Drive circuits can be simple.
Parallel use is easy.
Pb-free plating
Техническая спецификация
Datasheet
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
78 Вт
Максимальное напряжение входа:
±30 В
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
620 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
7 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.5В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
20 нКл при 10 В
