N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor
Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current
Low figure-of-merit (FOM)
Low input capacitance (Ciss)
Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge
Ultra low gate charge (Qg)
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
SiHB28N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное сопротивление стока источника:
123 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
28 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs:
80 нКл при 10 В