Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 350 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip TN0106N3-G, МОП-транзистор

1779734
Номер производителя: TN0106N3-GПроизводитель: Microchip
Цена за шт. (норма упаковки 20 шт)
331.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Microchip Technology MOSFET

The Microchip Technology through-hole mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 3ohms at a gate-source voltage of 10V. It has a drain-source voltage of 60V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has continuous drain current of 350mA and maximum power dissipation of 1W. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 4.5V and 10V respectively. The MOSFET is an enhancement mode (normally off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. A significant characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. This vertical DMOS FET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Ease of paralleling
• Excellent thermal stability
• Free from secondary breakdown
• High input impedance and high gain
• Integral source drain diode
• Low CISS and fast switching speeds
• Low power drive requirement
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

Applications

• Analog switches
• Battery operated systems
• General purpose line drivers
• Logic level interfaces - ideal for TTL and CMOS
• Photo voltaic drives
• Solid state relays
• Telecom switches

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Высота:
5.33мм
Длина:
5.08мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
Максимальное напряжение входа:
20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
4.5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
350 мА
Минимальное пороговое напряжение:
0.6В
Прямое напряжение диода:
1.5В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TN0106
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-92
Ширина:
4.06мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию