TrenchFET® power MOSFET
Low thermal resistance PowerPAK® package
Техническая спецификация
Datasheet
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
56.8 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
250 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
110 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
14.4 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK SO-8
Типичный заряд затвора при Vgs:
14.9 нКл при 10 В
