Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 80 A, 25 V, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SiSS02DN-T1-GE3, МОП-транзистор

1783899
Номер производителя: SiSS02DN-T1-GE3Производитель: Vishay Siliconix
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
585.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

FEATURES
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS(on) in a compact and thermally
enhanced package
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces
switching related power loss
APPLICATIONS
Synchronous rectification
Synchronous buck converter
High power density DC/DC
OR-ing
Load switching

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Высота:
1.07мм
Длина:
3.15мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
65.7 Вт
Максимальное напряжение входа:
-12 В, +16 В
Максимальное напряжение стока источника:
25 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
1 МОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
80 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2.2В
Прямое напряжение диода:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
1212
Типичный заряд затвора при Vgs:
55 нКл при 10 В
Ширина:
3.15мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию