TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Техническая спецификацияDatasheet
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
43 Вт
Максимальное напряжение входа:
-16 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.2В
Максимальное сопротивление стока источника:
5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
60 A
Минимальное пороговое напряжение:
2.4В
Прямое напряжение диода:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
24.1 нКл при 10 В