* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss
Provides exceptional versatility for power management design
DatasheetВысота:
1мм
Длина:
2.2мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
19.2 Вт
Максимальное напряжение входа:
-12 В, +16 В
Максимальное напряжение стока источника:
25 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
7 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
40 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SC-70
Типичный заряд затвора при Vgs:
15.7 нКл при 10 В
Ширина:
1.35мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |