* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
High side and low side MOSFETs form optimized
combination for 50 % duty cycle
Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates
efficiency for high frequency switching
APPLICATIONS
Synchronous buck
DC/DC conversion
Half bridge
POL
DatasheetВысота:
0.75мм
Длина:
3мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
16.7 Вт
Максимальное напряжение входа:
-12 В, +16 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
9 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
30 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2.4В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAIR 3 x 3
Типичный заряд затвора при Vgs:
13.5 нКл при 10 В
Ширина:
3мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |