* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
SkyFET® low-side MOSFET with integrated Schottky
DatasheetВысота:
0.7мм
Длина:
5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
83 Вт
Максимальное напряжение входа:
-16 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.1В
Максимальное сопротивление стока источника:
5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
60 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2.2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAIR 6 x 5
Типичный заряд затвора при Vgs:
100 (Channel 2) nC @ 10 V, 24.5 (Channel 1) nC @ 10 V
Ширина:
6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |