Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SQS944ENW-T1_GE3, МОП-транзистор

1783956
Номер производителя: SQS944ENW-T1_GE3Производитель: Vishay Siliconix
Цена за шт. (норма упаковки 25 шт)
252.00 руб. (С НДС) *
Количество 25+ 100+ 500+ 1000+
Цена 252.00 руб. 216.00 руб. 189.00 руб. 165.00 руб.

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

TrenchFET® power MOSFET

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
1.07мм
Длина:
3.15мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
27.8 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
40 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
6 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
1.5В
Прямое напряжение диода:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
1212
Типичный заряд затвора при Vgs:
11.5 нКл при 10 В
Ширина:
3.15мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию