TrenchFET® power MOSFET
Package with low thermal resistance
Техническая спецификацияDatasheet
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
107 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
10 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
100 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.5В
Прямое напряжение диода:
1.5В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
185 нКл при 10 В