* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This N-Channel MV MOSFET is produced using advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Shielded Gate MOSFET Technology
Max rDS(on) = 4.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 67 A
Max rDS(on) = 8.0 mΩ at VGS = 6 V, ID = 33 A
50% Lower Qrr than Other MOSFET Suppliers
Lowers Switching Noise/EMI
MSL1 Robust Package Design
Applications:
This product is general usage and suitable for many different applications.
End Products:
AC-DC and DC-DC Power Supplies
DatasheetDatasheet FDMS4D0N12CВысота:
1.05мм
Длина:
5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
106 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
120 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
4 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
67 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PQFN 5 x 6
Типичный заряд затвора при Vgs:
36 нКл при 6 В
Ширина:
6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |