* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Commercial Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.
Features
Low On-Resistance
Low Gate Charge
Small Footprint (3x3 mm)
Benefits
Minimizes Conduction Losses
Minimizes Switching Losses
Compact Design
Applications
Reverser Battery protection
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
Synchronous Rectification
End Products
Motor Control
Battery management
Switching Power supplies
DatasheetDatasheet NTTFS6H850NTAGВысота:
0.75мм
Длина:
3.15мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
107 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
9.5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
68 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
WDFN
Типичный заряд затвора при Vgs:
3.6 нКл при 10 В
Ширина:
3.15мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |