Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 5-Pin DFN onsemi NVMFS6H801NT1G, МОП-транзистор

1784450
Номер производителя: NVMFS6H801NT1GПроизводитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
659.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

ON Semiconductor MOSFET

The ON Semiconductor DFN5 surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 80V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 2.8mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum continuous drain current of 157A and a maximum power dissipation of 166W. The driving voltage for this MOSFET is 10V. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Automotive power MOSFET
• Compact and efficient design
• High thermal performance
• Lead (Pb) free
• Low QG and capacitance to minimize driver losses
• Low RDS (on) to minimize conduction Losses
• Minimises driver losses
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• Wettable flank option available for enhanced optical inspection

Applications

• DC-DC converter
• Load switch
• Motor control
• Power switches (high side driver, low side driver, H bridges etc)
• Switching power supplies

Certifications

• AEC−Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfDatasheet NVMFS6H801NT1G
Высота:
1.05мм
Длина:
5.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
5
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
166 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
2.8 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
157 A
Минимальное пороговое напряжение:
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DFN
Типичный заряд затвора при Vgs:
64 нКл при 10 В
Ширина:
6.1мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию