* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
The ON Semiconductor MJD112 is the complementary Darlington power transistors designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.
Straight lead version in plastic sleevesThese devices are Pb free and are RoHS compliant
Schematic Symbol & PCB Footprint
Mfr Part No.:
MJD112-1G
Transistor Type
Высота:
6.35mm
Длина:
6.73mm
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
4 V
Максимальная рассеиваемая мощность:
20 W
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 V
Максимальное напряжение коллектор-база:
100 V
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
100 V
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
3 V
Максимальный непрерывный ток коллектора:
2 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
20µA
Минимальное усиление постоянного тока:
1000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
6.73 x 2.38 x 6.35mm
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
IPAK (TO-251)
Ширина:
2.38mm
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |