* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators, driver ICs and so forth.
Ultra-compact complex digital transistor
Built-In Biasing Resistors
Potential divider type
Small Surface Mount Package
Pb Free
DatasheetКоличество контактов:
5
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Общий эмиттер
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 мВт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
50 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
100 мА
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
1.7 x 1.3 x 0.45мм
Сопротивление база-эмиттер:
10кОм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN/NPN
Тип упаковки:
SOT-553
Типичное входное сопротивление:
10 кОм
Типичное отношение резисторов:
1
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |