* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
HP8S36 is low on-resistance MOSFET for switching application.
Low on - resistance
Pb-free lead plating
Halogen Free
Built in Schottky-barrier diode(Tr2)
DatasheetВысота:
1.1мм
Длина:
5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
22 W, 29 W
Максимальное напряжение входа:
±128 V, ±20 V
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
13.3 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
27 A, 80 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HP8S36
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
HSOP8
Типичный заряд затвора при Vgs:
4.8 nC @ 4.5 V (N Channel), 47 nC @ 4.5 V (N Channel)
Ширина:
5.8мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |