* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Complex type MOSFETs(P+P) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
4Ｖ-drive type
Pch+Pch Middle-power MOSFET
Fast Switching Speed
Small Surface Mount Package
Pb Free
DatasheetВысота:
0.8мм
Длина:
3.1мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
84 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
QS8J4
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSMT-8
Типичный заряд затвора при Vgs:
13 nC @ 10 V (N Channel)
Ширина:
2.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |