Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

P-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2307CDS-T1-GE3, МОП-транзистор

1807738
Номер производителя: SI2307CDS-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 25 шт)
132.60 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount dual P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 88mohm at a gate-source voltage of 10V. It has continuous drain current of 3.5A and a maximum power rating of 1.8W. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. It has application in load switches for portable devices. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
0.138 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3.5 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию