* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount dual channel (both P and N-channels) MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and drain-source resistance of 65mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power rating of 3.1W and 3.12W. The MOSFET has continuous drain currents of 4A and 3.7A. It has been optimized, for lower switching and conduction losses.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• DC/DC for portable devices
• Load switch
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
DatasheetКанал - тип:
N, P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.1 O,0.235 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4 A, 3.7 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
1206 ChipFET
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |