Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

MOSFET Vishay SIHP21N60EF-GE3, Транзистор

1807768
Номер производителя: SIHP21N60EF-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
1240.20 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Vishay MOSFET

The Vishay through-hole mount N-channel TO-220AB-3 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 600V and a maximum gate-source voltage of 30V. It has a drain-source resistance of 176mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 227W and continuous drain current of 21A. It has a driving voltage of 10V. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Fast body diode MOSFET using E series technology
• Halogen free
• Increased robustness due to low Qrr
• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
• Low input capacitance (Ciss)
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• Reduced trr, Qrr and IRRM
• Ultra low gate charge (Qg)

Applications

• Light emitting diodes (LEDs)
• 3-level inverters
• AC/DC bridges
• ATX power supplies
• High-intensity lighting (HID)
• LLC
• Phase shifted bridge (ZVS)
• Power factor correction power supplies (PFC)
• Server and telecom power supplies
• Solar PV inverters

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• UIS tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию