Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay SI5515CDC-T1-GE3, МОП-транзистор

1807787
Номер производителя: SI5515CDC-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 20 шт)
241.80 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount dual channel (both P and N-channels) MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V and drain-source resistance of 36mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power rating of 3.1W. The MOSFET has a continuous drain current of 4A. It has application in load switches for portable devices. MOSFET has been optimized, for lower switching and conduction losses.

Features and Benefits

• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
0.8В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.05 O,0.156 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
1206 ChipFET
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию