Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

MOSFET Vishay SIA537EDJ-T1-GE3, Транзистор

1807808
Номер производителя: SIA537EDJ-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 20 шт)
187.20 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay SIA537EDJ is a P&N-channel MOSFET having drain to source voltage(Vds) of -20V for P-channel and 12V for N-channel. Gate to source voltage (VGS) 8V. It is having Power PAK SC-70 package. It is offers drain to source resistance (RDS.) of 0.028ohms at 4.5VGS and 0.033ohms at 2.5VGS. for N-channel and 0.054ohms, 0.07 for P-channel resp. Maximum drain current 4.5A for N-channel and -4.5 for P-channel.

Trench FET power MOSFETs
Typical ESD protection: N-channel 2400 V, P-channel 2000 V
100 % Rg tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию