Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

MOSFET Vishay SIR882ADP-T1-GE3, Транзистор

1807871
Номер производителя: SIR882ADP-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
807.30 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 100V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 8.7mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 83W and continuous drain current of 60A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V respectively. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free
• Lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET for fast switching

Applications

• DC/DC primary side switch
• Industrial sites
• Telecom/server 48V, full/half-bridge DC/DC

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию