Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

MOSFET Vishay SI7956DP-T1-GE3, Транзистор

1807886
Номер производителя: SI7956DP-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
1021.80 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 150V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 105mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 3.5W and continuous drain current of 4.1A. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Dual MOSFET for space savings
• Halogen free
• Lead (Pb) free component
• Low on-resistance in new low thermal resistance PowerPAK package
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Half bridge and forward converters
• High efficiency primary side switches

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию