Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

MOSFET Vishay SI7997DP-T1-GE3, Транзистор

1807902
Номер производителя: SI7997DP-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
659.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay SI7997DP is a dual P-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -30V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having power PAK SO-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.0055ohms at 10VGS and 0.0078ohms at 4.5VGS. Maximum drain current -60A.

Trench FET power MOSFET
PWM optimized
100% Rg and UIS tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию