Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 3.9 A, 2.1 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 Vishay SI3585CDV-T1-GE3, МОП-транзистор

1807911
Номер производителя: SI3585CDV-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 20 шт)
156.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount dual channel (both P and N-channels) MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V. The MOSFET has drain-source resistance of 58mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has continuous drain currents of 3.9A and 2.1A. It has a maximum power rating of 1.4W and 1.3W. It has been optimized, for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET

Applications

• DC-DC converters
• Drivers: motor, solenoid, relay
• Load switch for portable devices

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.058 O,0.195 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3.9 A, 2.1 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSOP-6
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию