* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay Siliconix Si8483DB series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 12 V. It is maximum power dissipation of 13 W and mainly used in load switch in portable devices.
Low voltage drop
Low power consumption
Increased battery life
DatasheetКанал - тип:
P
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
12 В
Максимальное пороговое напряжение:
0.8В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.026 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
16 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
MICRO FOOT
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |