Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 3.6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2300DS-T1-GE3, МОП-транзистор

1807944
Номер производителя: SI2300DS-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 25 шт)
120.90 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 68mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum gate-source voltage of 12V and drain-source voltage of 30V. The MOSFET has a minimum and a maximum driving voltage of 2.5V and 4.5V respectively. It has continuous drain current of 3.6A and maximum power dissipation of 1.7W. MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET

Applications

• DC-DC converter for portable devices
• Load switch

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.068 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3.6 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию