Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 9.5 A, 80 V, 8-Pin SO-8 Vishay SI4896DY-T1-E3, МОП-транзистор

1807961
Номер производителя: SI4896DY-T1-E3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
327.60 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 80V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 16.5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has power dissipation of 1.56W and continuous drain current of 6.7A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 6V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switch
• Load switches

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
0.022 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
9.5 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SO-8
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию