Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET, 19.8 A, 20 V, 8-Pin SO-8 Vishay SI4204DY-T1-GE3, МОП-транзистор

1808014
Номер производителя: SI4204DY-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
627.90 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount dual N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V. It also has drain-source resistance of 4.6mohm at a gate-source voltage of 10V. It has continuous drain current of 19.8A. The MOSFET has a maximum power rating of 3.25W. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET

Applications

• DC/DC Converter
• Fixed Telecommunication
• Notebook PC

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg tested
• UIS tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.006 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
19.8 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SO-8
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию