* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
2-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically
organized as 256 K x 8
High-endurance 10 trillion (1014) read/writes
121-year data retention
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Very fast serial peripheral interface (SPI)
Up to 33 MHz frequency
Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM
Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)
Sophisticated write protection scheme
Hardware protection using the Write Protect (WP) pin
Software protection using Write Disable instruction
Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array
Device ID
Manufacturer ID and Product ID
Low power consumption
3 mA active current at 33 MHz
400 A standby current
12 A sleep mode current
Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V
Extended temperature: –40 °C to +105 °C
8-pin thin dual flat no leads (DFN) package
Datasheet - FM25V20A-DGQ
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
ТК Деловые Линии | от 500 руб |
Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
Другой транспортной компанией | По согласованию |