* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Gate-Source diode for protection
Low drain-source on-resistance
RDS(ON) = 2.8 Ω (typ.) (@VGS = 10 V, ID = 100 mA)
RDS(ON) = 3.1 Ω (typ.) (@VGS = 5 V, ID = 100 mA)
RDS(ON) = 3.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V, ID = 100 mA)
Applications
High-Speed Switching
Datasheet SSM3K7002CFUВысота:
0.85мм
Длина:
2мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 мВт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.1В
Максимальное сопротивление стока источника:
8.1 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
170 мА
Минимальное пороговое напряжение:
1.1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
USM
Типичный заряд затвора при Vgs:
0.27 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.25мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |