* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Low Gate Threshold Voltage Low On-Resistance ESD Protected Gate Applications Battery Management Application Power Management Functions DC-DC Converters
Техническая спецификация
Datasheet DMN3020UTS-13Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
1.02мм
Длина:
4.5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.4 Вт
Максимальное напряжение входа:
±12 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
50 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
15 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.4В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSSOP
Типичный заряд затвора при Vgs:
27 нКл при 8В
Ширина:
3.1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |