* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. “Green” Device.
Applications
Backlighting
DC-DC Converters
Power Management Functions
Datasheet DMC2057UVT-7Высота:
0.9мм
Длина:
3мм
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
Максимальное напряжение входа:
±12 V, ±8 V
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1 (P Канал) В, 1.2 (N Канал) В
Максимальное сопротивление стока источника:
160 (PChannel) mΩ, 91 (NChannel) mΩ
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4 A, 3.3 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.4 (N-канал) В, 0.4 (P-канал) В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSOT-26
Типичный заряд затвора при Vgs:
10.5 nC @ 10 V (NChannel), 6.5 nC @ 4.5 V (PChannel)
Ширина:
1.7мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |