This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Applications
Backlighting
DC-DC Converters
Power Management Functions
Техническая спецификация
Datasheet DMC3071LVT-7
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 V, ±20 V
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5 (N Канал) В, 2.5 (P Канал) В
Максимальное сопротивление стока источника:
140 (PChannel) mΩ, 90 (NChannel) mΩ
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4.6 A, 3.3 A
Минимальное пороговое напряжение:
1 (N Канал) В, 1 (P Канал) В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
4.5 нКл при 10 В (N Канал), 6.5 нКл при 10 В (P Канал)
