* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Footprint of just 0.6mm2
– Thirteen Times Smaller than SOT23
0.4mm Profile – Ideal for Low Profile Applications
Low Gate Threshold Voltage
Fast Switching Speed
ESD Protected Gate
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. “Green” Device.
Applications
Load Switch
Datasheet DMN2450UFB4-7RВысота:
0.35мм
Длина:
1.05мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
Максимальное напряжение входа:
±12 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
0.9В
Максимальное сопротивление стока источника:
700 мкОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.4В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
X2-DFN1006
Типичный заряд затвора при Vgs:
1.3 нКл при 10 В
Ширина:
0.65мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |