* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications
PCB Footprint of 4mm2
Low Gate Threshold Voltage
Fast Switching Speed
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Applications
Battery Management Application
Power Management Functions
DC-DC Converters
Datasheet DMN1008UFDF-7Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
0.58мм
Длина:
2.05мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.7 Вт
Максимальное напряжение входа:
±8 В
Максимальное напряжение стока источника:
12 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
12.5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
12.2 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.3В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
U-DFN2020
Типичный заряд затвора при Vgs:
23.4 нКл при 8 В
Ширина:
2.05мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |