* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.
100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable
and Robust End Application
Low RDS(ON) – Minimizes Power Losses
Low QG – Minimizes Switching Losses
Lead-free finish
Halogen and Antimony Free. “Green” Device.
Applications
Power Management Functions
DC-DC Converters
Backlighting
Datasheet DMTH10H025SK3-13Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
2.26мм
Длина:
6.7мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.7 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
30 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
46.3 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.3В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
21.4 нКл при 10В
Ширина:
6.2мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |