* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments
100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application
High Conversion Efficiency
Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Applications
Power Management Functions
DC-DC Converters
Backlighting
Datasheet DMTH4014LPD-13Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
1.05мм
Длина:
5.85мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
42.8 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
3В
Максимальное сопротивление стока источника:
25 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
30.8 (State) A, 43.6 (Steady) A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerDI5060
Типичный заряд затвора при Vgs:
10.2 нКл при 10В
Ширина:
4.95мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |