* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON), yet maintain superior switching performance.
Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments
100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable And Robust End Application
Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Applications
BLDC Motors
DC-DC Converters
Load Switch
Datasheet DMTH43M8LPS-13Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
1.05мм
Длина:
6мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
83 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
100 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerDI5060-8
Типичный заряд затвора при Vgs:
38.5 нКл при 10В
Ширина:
5.1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |