* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
R6020KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
Datasheet R6020KNZ4C13Высота:
21.25мм
Длина:
16.24мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
231 Вт
Максимальное напряжение входа:
±30 В
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
190 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
20 A
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Рабочая температура - максимальная:
150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
R6020KNZ4
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Типичный заряд затвора при Vgs:
40 нКл при 10 В
Ширина:
5.22мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |