R6076KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
Техническая спецификация
Datasheet R6076KNZ4C13
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
735 Вт
Максимальное напряжение входа:
±30 В
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
42 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
76 A
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Рабочая температура - максимальная:
150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Типичный заряд затвора при Vgs:
165 нКл при 10 В
